يشترى STTH4R06DEE-TR مع BYCHPS
شراء مع ضمان
STTH4R06DEE-TR
- رقم القطعة:
- STTH4R06DEE-TR
- الصانع:
- ST
- وصف:
- DIODE GEN PURP 600V 4A POWERFLAT
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15525 Pieces
- ورقة البيانات:
- STTH4R06DEE-TR.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STTH4R06DEE-TR ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STTH4R06DEE-TR عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.7V @ 4A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 600V |
| تجار الأجهزة حزمة: | PowerFlat™ (3.3x3.3) |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 50ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-PowerVDFN |
| اسماء اخرى: | 497-13333-2 STTH4R06DEETR |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 150°C (Max) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 15 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | STTH4R06DEE-TR |
| وصف موسع: | Diode Standard 600V 4A Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3) |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN PURP 600V 4A POWERFLAT |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 3µA @ 600V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 4A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTTH4R06DEE-TR
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STTH40P03SFP | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 300V 40A TO220FP | تحقيق |
 |
STTH4R02B-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK | تحقيق |
 |
STTH4R02S | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A SMC | تحقيق |
|
STTH4R02SY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A SMC | تحقيق |
 |
STTH4R02FP | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A TO220FP | تحقيق |
 |
STTH4R02 | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AB | تحقيق |
 |
STTH4R02U | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A SMB | تحقيق |
 |
STTH4R02BY-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK | تحقيق |
 |
STTH4R02D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A TO220AC | تحقيق |
|
STTH4R02RL | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AB | تحقيق |
|
STTH4R02UY | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A SMB | تحقيق |
|
STTH4R02B | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog