STU11N65M2
STU11N65M2
رقم القطعة:
STU11N65M2
الصانع:
ST
وصف:
MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13836 Pieces
ورقة البيانات:
STU11N65M2.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STU11N65M2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STU11N65M2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى STU11N65M2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
فغس (ماكس):±25V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:IPAK (TO-251)
سلسلة:MDmesh™ II Plus
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:670 mOhm @ 3.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):85W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
اسماء اخرى:497-15043-5
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:STU11N65M2
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:410pF @ 100V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:12.5nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 650V 7A (Tc) 85W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):650V
وصف:MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات