العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > STU11N65M2
STU11N65M2
STU11N65M2
رقم القطعة:
STU11N65M2
الصانع:
ST
وصف:
MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13836 Pieces
ورقة البيانات:
STU11N65M2.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STU11N65M2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STU11N65M2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى STU11N65M2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
فغس (ماكس):±25V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:IPAK (TO-251)
سلسلة:MDmesh™ II Plus
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:670 mOhm @ 3.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):85W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
اسماء اخرى:497-15043-5
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:STU11N65M2
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:410pF @ 100V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:12.5nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 650V 7A (Tc) 85W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):650V
وصف:MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لSTU11N65M2

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
NP100P06PDG-E1-AY Image NP100P06PDG-E1-AY Renesas Electronics America MOSFET P-CH 60V 100A TO-263 تحقيق
STU11NM60ND Image STU11NM60ND STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 10A IPAK تحقيق
BUK7C4R5-100EJ Image BUK7C4R5-100EJ NXP USA Inc. MOSFET N-CH 100V 169A D2PAK-7 تحقيق
IXFP14N85X Image IXFP14N85X IXYS MOSFET N-CH 850V 14A TO220-3 تحقيق
CSD17302Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 87A 8SON تحقيق
IXFX120N30T Image IXFX120N30T IXYS MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247 تحقيق
IRF9640S Image IRF9640S Vishay Siliconix MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK تحقيق
MCM1208-TP Image MCM1208-TP Micro Commercial Co MOSFET P-CH 12V 8A DFN202 تحقيق
AOT2606L Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 60V 13A TO220 تحقيق
JAN2N6849 Microsemi Corporation MOSFET P-CH 100V 6.5A TO-39 تحقيق
FDB2552 Image FDB2552 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 150V 37A TO-263AB تحقيق
IRF840 Image IRF840 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB تحقيق
IRLZ24STRR Image IRLZ24STRR Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK تحقيق
JANTXV2N6849 Microsemi Corporation MOSFET P-CH 100V 6.5A تحقيق
BUK7Y153-100EX Image BUK7Y153-100EX Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK تحقيق
IPD90N06S405ATMA1 Image IPD90N06S405ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 تحقيق
2SK3823 Image 2SK3823 ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 40A TO220-3 تحقيق
IXFN27N80 Image IXFN27N80 IXYS MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B تحقيق
IXTQ26P20P Image IXTQ26P20P IXYS MOSFET P-CH 200V 26A TO-3P تحقيق
SI4488DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC تحقيق

Latest الأخبار