STU16N60M2
STU16N60M2
رقم القطعة:
STU16N60M2
الصانع:
ST
وصف:
MOSFET N-CH 600V 12A IPAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17236 Pieces
ورقة البيانات:
STU16N60M2.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STU16N60M2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STU16N60M2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى STU16N60M2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
فغس (ماكس):±25V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:IPAK (TO-251)
سلسلة:MDmesh™ M2
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:320 mOhm @ 6A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):110W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
اسماء اخرى:497-16025-5
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:26 Weeks
الصانع الجزء رقم:STU16N60M2
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:700pF @ 100V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:19nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 12A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 12A IPAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات