العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > STU6N62K3
STU6N62K3
STU6N62K3
رقم القطعة:
STU6N62K3
الصانع:
ST
وصف:
MOSFET N-CH 620V 5.5A IPAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13137 Pieces
ورقة البيانات:
STU6N62K3.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STU6N62K3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STU6N62K3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى STU6N62K3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 50µA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:I-Pak
سلسلة:SuperMESH3™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1.2 Ohm @ 2.8A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):90W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
اسماء اخرى:497-12699-5
STU6N62K3-ND
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:STU6N62K3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:875pF @ 50V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:30nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 620V 5.5A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I-Pak
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):620V
وصف:MOSFET N-CH 620V 5.5A IPAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:5.5A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لSTU6N62K3

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IRFBE20STRL Image IRFBE20STRL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK تحقيق
HUF76633P3 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 38A TO-220AB تحقيق
STU6N65M2 Image STU6N65M2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 4A IPAK تحقيق
CSD23202W10T Texas Instruments MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA تحقيق
IRF6612TR1 Image IRF6612TR1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET تحقيق
STU6N90K5 Image STU6N90K5 STMicroelectronics N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3 تحقيق
BSS139L6327HTSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 تحقيق
2N7236U Microsemi Corporation MOSFET P-CH 100V SMD1 تحقيق
STV240N75F3 Image STV240N75F3 STMicroelectronics MOSFET N-CH 75V 240A POWERSO-10 تحقيق
STU6N95K5 Image STU6N95K5 STMicroelectronics MOSFET N CH 950V 9A IPAK تحقيق
STW15N80K5 Image STW15N80K5 STMicroelectronics MOSFET N CH 800V 14A TO-247 تحقيق
IPI80P04P4L06AKSA1 Image IPI80P04P4L06AKSA1 Infineon Technologies MOSFET P-CH TO262-3 تحقيق
STU6NF10 Image STU6NF10 STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 6A IPAK تحقيق
STU6N65K3 Image STU6N65K3 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK تحقيق
STU6N60M2 Image STU6N60M2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V IPAK تحقيق
IXFX21N100Q Image IXFX21N100Q IXYS MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS 247 تحقيق
IXTT12N150 Image IXTT12N150 IXYS MOSFET N-CH 1500V 12A TO-268 تحقيق

Latest الأخبار