يشترى STW120NF10 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
STW120NF10
- رقم القطعة:
- STW120NF10
- الصانع:
- ST
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 110A TO-247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13326 Pieces
- ورقة البيانات:
- STW120NF10.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STW120NF10 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STW120NF10 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247-3 |
| سلسلة: | STripFET™ II |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 10.5 mOhm @ 60A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 312W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| اسماء اخرى: | 497-5166-5 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 18 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | STW120NF10 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 5200pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 233nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 110A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 110A TO-247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 110A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTW120NF10
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STW12NK60Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 10A TO-247 | تحقيق |
|
STW12NK95Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 10A TO-247 | تحقيق |
 |
IRFR9020PBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK | تحقيق |
 |
STD2LN60K3 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 600V 2A DPAK | تحقيق |
 |
2N7002KT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 320MA SOT-23 | تحقيق |
 |
SI2309DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3 | تحقيق |
|
STW12NK80Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 10.5A TO-247 | تحقيق |
|
MMBF170LT3 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23 | تحقيق |
 |
IRF820STRRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK | تحقيق |
|
IRFS4228PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK | تحقيق |
 |
CSD17556Q5B | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 8-VSON | تحقيق |
 |
STP25NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 21A TO-220 | تحقيق |
 |
IXTY01N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA | تحقيق |
 |
SIHF12N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP | تحقيق |
 |
EKI04027 | Sanken | MOSFET N-CH 40V 85A TO-220 | تحقيق |
|
STW12NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 10A TO-247 | تحقيق |
|
STW12N120K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1200V 12A TO247 | تحقيق |
|
STW12NK90Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 900V 11A TO-247 | تحقيق |
 |
2N6804 | Microsemi Corporation | MOSFET P-CH 100V TO-204AA TO-3 | تحقيق |
|
STW12N150K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1500V 7A TO-247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog