يشترى STW27NM60ND مع BYCHPS
شراء مع ضمان
STW27NM60ND
- رقم القطعة:
- STW27NM60ND
- الصانع:
- ST
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 21A TO-247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12245 Pieces
- ورقة البيانات:
- STW27NM60ND.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STW27NM60ND ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STW27NM60ND عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247-3 |
| سلسلة: | FDmesh™ II |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 160 mOhm @ 10.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 160W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| اسماء اخرى: | 497-10086-5 |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 22 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | STW27NM60ND |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 21A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 21A TO-247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 21A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTW27NM60ND
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FDMA8884 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-MLP 2X2 | تحقيق |
 |
STW27N60M2-EP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 | تحقيق |
 |
IXFB210N20P | IXYS | MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264 | تحقيق |
 |
IXTP15N50L2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 15A TO-220 | تحقيق |
 |
STB6NK60Z-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK | تحقيق |
 |
SI5433BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8 | تحقيق |
 |
IRF7460 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC | تحقيق |
 |
NVD5802NT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK | تحقيق |
 |
CSD18563Q5AT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 100A 8SON | تحقيق |
 |
PSMN4R8-100PSEQ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V TO220AB | تحقيق |
 |
FCPF11N60F | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 11A TO-220F | تحقيق |
 |
IRLML0100TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23-3 | تحقيق |
 |
IXTV250N075TS | IXYS | MOSFET N-CH 75V 250A PLUS220SMD | تحقيق |
 |
STFW40N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 34A TO-3PF | تحقيق |
 |
NP50P03YDG-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON | تحقيق |
 |
DMN4010LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8 | تحقيق |
 |
IXTA200N055T2 | IXYS | MOSFET N-CH 55V 200A TO-263 | تحقيق |
 |
SI7336ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 | تحقيق |
 |
AOT472 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 75V 10A TO220 | تحقيق |
 |
NVMFS5113PLT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 64A SO8FL | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog