يشترى STW56N60M2-4 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
STW56N60M2-4
- رقم القطعة:
- STW56N60M2-4
- الصانع:
- ST
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 52A TO247-4
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13632 Pieces
- ورقة البيانات:
- STW56N60M2-4.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STW56N60M2-4 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STW56N60M2-4 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±25V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247-4L |
| سلسلة: | MDmesh™ M2 |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 55 mOhm @ 26A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 350W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-4 |
| اسماء اخرى: | 497-15578-5 |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 22 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | STW56N60M2-4 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 3750pF @ 100V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 91nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 52A (Tc) 350W (Tc) Through Hole TO-247-4L |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 52A TO247-4 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 52A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTW56N60M2-4
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STW56N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 49A TO247 | تحقيق |
|
STW56NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N CH 600V 45A TO-247 | تحقيق |
 |
STS1HNK60 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 300MA 8-SOIC | تحقيق |
|
STW56N65DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 48A | تحقيق |
|
STW56N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 52A TO247 | تحقيق |
 |
FCD4N60TM_WS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK | تحقيق |
 |
BUK7635-100A,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 41A D2PAK | تحقيق |
|
STW56N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 50A | تحقيق |
|
STW56N65M2-4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V I2PAKFP | تحقيق |
 |
STP185N55F3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 55V 120A TO-220 | تحقيق |
 |
CMUDM8005 TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET P-CH 20V 650MA SOT523 | تحقيق |
 |
FDC638P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog