STW58N60DM2AG
STW58N60DM2AG
رقم القطعة:
STW58N60DM2AG
الصانع:
ST
وصف:
MOSFET N-CH 600V 50A
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16271 Pieces
ورقة البيانات:
STW58N60DM2AG.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STW58N60DM2AG ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STW58N60DM2AG عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى STW58N60DM2AG مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 250µA
فغس (ماكس):±25V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-247
سلسلة:Automotive, AEC-Q101, MDmesh™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:60 mOhm @ 25A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):360W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3
اسماء اخرى:497-16131-5
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:24 Weeks
الصانع الجزء رقم:STW58N60DM2AG
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:4100pF @ 100V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:90nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 50A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 50A
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات