SUD50N02-09P-GE3
SUD50N02-09P-GE3
رقم القطعة:
SUD50N02-09P-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N-CH 20V 20A TO252
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13608 Pieces
ورقة البيانات:
SUD50N02-09P-GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SUD50N02-09P-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SUD50N02-09P-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SUD50N02-09P-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-252
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:14 mOhm @ 20A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):39.5W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:SUD50N02-09P-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1300pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:16nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 20V 20A (Ta) 39.5W (Tc) Surface Mount TO-252
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف:MOSFET N-CH 20V 20A TO252
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:20A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات