يشترى SUP90N06-6M0P-E3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SUP90N06-6M0P-E3
- رقم القطعة:
- SUP90N06-6M0P-E3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15572 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.SUP90N06-6M0P-E3.pdf2.SUP90N06-6M0P-E3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SUP90N06-6M0P-E3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SUP90N06-6M0P-E3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 6 mOhm @ 20A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 3.75W (Ta), 272W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| اسماء اخرى: | SUP90N06-6M0P-E3CT SUP90N06-6M0P-E3CT-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 24 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SUP90N06-6M0P-E3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 4700pF @ 30V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 120nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 90A (Tc) 3.75W (Ta), 272W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 90A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSUP90N06-6M0P-E3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRLR024NTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 17A DPAK | تحقيق |
 |
SUP90N03-03-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 90A TO220AB | تحقيق |
|
SUP90N06-5M0P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB | تحقيق |
|
SUP90N08-6M8P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 75V 90A TO220AB | تحقيق |
|
SUP90N04-3M3P-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 90A TO-220AB | تحقيق |
|
IRLR3714TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 36A DPAK | تحقيق |
|
SUP90140E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB | تحقيق |
 |
IXFC110N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220 | تحقيق |
|
SUP90N08-7M7P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 75V 90A TO220AB | تحقيق |
|
SUP90142E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB | تحقيق |
 |
IRF7353D2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC | تحقيق |
|
SUP90220E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 64A TO220AB | تحقيق |
|
SUP90P06-09L-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 90A TO220AB | تحقيق |
|
SUP90N15-18P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 90A TO220AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog