يشترى SVD14N03RT4G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SVD14N03RT4G
- رقم القطعة:
- SVD14N03RT4G
- وصف:
- MOSFET N-CH 25V 14A DPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17027 Pieces
- ورقة البيانات:
- SVD14N03RT4G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SVD14N03RT4G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SVD14N03RT4G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | DPAK |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 95 mOhm @ 5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.04W (Ta), 20.8W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | NVD14N03RT4G NVD14N03RT4G-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 4 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SVD14N03RT4G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 115pF @ 20V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 1.8nC @ 5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 25V 2.5A (Ta) 1.04W (Ta), 20.8W (Tc) Surface Mount DPAK |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 25V |
| وصف: | MOSFET N-CH 25V 14A DPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 2.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSVD14N03RT4G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTN102N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227 | تحقيق |
 |
IRF7416QTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC | تحقيق |
 |
STF10NM65N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 9A TO-220FP | تحقيق |
 |
EPC2007C | EPC | TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE | تحقيق |
 |
PMV37EN,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 3.1A SOT-23 | تحقيق |
 |
TPS1100PW | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP | تحقيق |
 |
NTD3808NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 12A DPAK | تحقيق |
 |
STD13NM60ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 11A DPAK | تحقيق |
 |
IRFBC40AS | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK | تحقيق |
 |
NP160N04TUJ-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7 | تحقيق |
 |
FQPF46N15 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 25.6A TO-220F | تحقيق |
 |
IRFI710G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 1.6A TO220FP | تحقيق |
|
IRF1010ZS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | تحقيق |
 |
FQI8P10TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 8A I2PAK | تحقيق |
 |
APT20M19JVR | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 112A SOT-227 | تحقيق |
 |
IXTK60N50L2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 60A TO-264 | تحقيق |
 |
NDP7050L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 75A TO-220AB | تحقيق |
 |
ATP405-TL-HX | ON Semiconductor | MOSFET N-CH DPAK | تحقيق |
 |
IXTQ140N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P | تحقيق |
 |
SI4102DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog