TB8S-G - Comchip Technology - الثنائيات الصمامات الجسر TB8S-G - BYCHIPS

TB8S-G

رقم القطعة:: TB8S-G

الصانع:: Comchip Technology

وصف:: DIODE BRIDGE GPP 0.8A 800V TBS

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 14317 Pieces

ورقة البيانات:: TB8S-G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل TB8S-G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك TB8S-G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى TB8S-G مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - قمة عكسي (ماكس):	800V
الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا:	950mV @ 400mA
تكنولوجيا:	Standard
تجار الأجهزة حزمة:	4-TBS
سلسلة:	-
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	4-SMD, Gull Wing
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	TB8S-G
وصف موسع:	Bridge Rectifier Single Phase 800V 800mA Surface Mount 4-TBS
نوع الصمام الثنائي:	Single Phase
وصف:	DIODE BRIDGE GPP 0.8A 800V TBS
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي:	10µA @ 800V
الحالي - متوسط مصحح (أيو):	800mA
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لTB8S-G

صورة	رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
	GSIB660N-M3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 6A 600V GSIB-5S	تحقيق
	DF202ST-G	Comchip Technology	RECTIFIER BRIDGE 2.0A 200V DF	تحقيق
	VUO121-16NO1	IXYS	RECT BRIDGE 3PH 1600V E2-PACK	تحقيق
	CD-MBL102S	Bourns Inc.	DIODE BRIDGE VRRM 200V 1A MBLS	تحقيق
	KBPC3504W	GeneSiC Semiconductor	DIODE BRIDGE 400V 35A KBPC-W	تحقيق
	VBE5512N07	IXYS	RECTIFIER	تحقيق
	GBU8B-BP	Micro Commercial Co	RECT BRIDGE GPP 8A 100V GBU	تحقيق
	DB157G	GeneSiC Semiconductor	DIODE BRIDGE 1000V 1.5A DB	تحقيق
	KBU8G-E4/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	RECTIFIER BRIDGE 8A 400V KBU	تحقيق
	CD-MBL210SL	Bourns Inc.	BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A SMD	تحقيق
	MD100S16M4-BP	Micro Commercial Co	BRIDGE RECT 1600V 100A M4 PAC	تحقيق
	GBJ2508-G-06	Comchip Technology	RECTIFIER BRIDGE 25A 800V GBJ	تحقيق

Latest الأخبار