يشترى TC8020K6-G-M937 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
TC8020K6-G-M937
- رقم القطعة:
- TC8020K6-G-M937
- وصف:
- MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18136 Pieces
- ورقة البيانات:
- TC8020K6-G-M937.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل TC8020K6-G-M937 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك TC8020K6-G-M937 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.4V @ 1mA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 56-QFN (8x8) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 8 Ohm @ 1A, 10V |
| السلطة - ماكس: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 56-VFQFN Exposed Pad |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | TC8020K6-G-M937 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 50pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | 6 N and 6 P-Channel |
| FET الميزة: | Standard |
| وصف موسع: | Mosfet Array 6 N and 6 P-Channel 200V Surface Mount 56-QFN (8x8) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 200V |
| وصف: | MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTC8020K6-G-M937
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FDS8960C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 35V 7A/5A 8SOIC | تحقيق |
 |
AO4801HL | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC | تحقيق |
 |
NTGD4161PT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6-TSOP | تحقيق |
 |
TC8020K6-G | Microchip Technology | MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN | تحقيق |
 |
2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 | تحقيق |
 |
IRF7301TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC | تحقيق |
 |
SI4561DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC | تحقيق |
|
DMP6110SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO | تحقيق |
|
DMGD7N45SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2NCH 450V 500MA 8SO | تحقيق |
|
NDS9925A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 8-SOIC | تحقيق |
 |
NTZD3156CT2G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 | تحقيق |
|
AO4886 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 100V 3.3A 8SOIC | تحقيق |
 |
NTLJD3115PTAG | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog