TK12A60U(Q,M)
TK12A60U(Q,M)
رقم القطعة:
TK12A60U(Q,M)
الصانع:
Toshiba Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19676 Pieces
ورقة البيانات:
1.TK12A60U(Q,M).pdf2.TK12A60U(Q,M).pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل TK12A60U(Q,M) ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك TK12A60U(Q,M) عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى TK12A60U(Q,M) مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 1mA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-220SIS
سلسلة:DTMOSII
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:400 mOhm @ 6A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):35W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-220-3 Full Pack
اسماء اخرى:TK12A60U(Q)
TK12A60U(Q)-ND
TK12A60U(QM)
TK12A60UQ-ND
TK12A60UQM
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:TK12A60U(Q,M)
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:720pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:14nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 12A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:12A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات