العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > TK16G60W,RVQ
TK16G60W,RVQ
TK16G60W,RVQ
رقم القطعة:
TK16G60W,RVQ
الصانع:
Toshiba Semiconductor
وصف:
MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15195 Pieces
ورقة البيانات:
TK16G60W,RVQ.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل TK16G60W,RVQ ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك TK16G60W,RVQ عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى TK16G60W,RVQ مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3.7V @ 790µA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:D2PAK
سلسلة:DTMOSIV
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:190 mOhm @ 7.9A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):130W (Tc)
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
اسماء اخرى:TK16G60WRVQDKR
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:TK16G60W,RVQ
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1350pF @ 300V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:38nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:Super Junction
وصف موسع:N-Channel 600V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Surface Mount D2PAK
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:15.8A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لTK16G60W,RVQ

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
CSD18510KTTT Texas Instruments 40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF تحقيق
STD2NC45-1 Image STD2NC45-1 STMicroelectronics MOSFET N-CH 450V 1.5A IPAK تحقيق
VN2224N3-G Microchip Technology MOSFET N-CH 240V 540MA TO92-3 تحقيق
SI6463BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP تحقيق
STY50N105DK5 STMicroelectronics N-CHANNEL 1050 V 0.110 OHM TYP. تحقيق
FQPF3N80CYDTU Image FQPF3N80CYDTU Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F تحقيق
IRF6795MTR1PBF Image IRF6795MTR1PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET تحقيق
FDP5500 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 55V 80A TO-220AB تحقيق
SIHG80N60E-GE3 Image SIHG80N60E-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC تحقيق
BUK7E2R3-40C,127 Image BUK7E2R3-40C,127 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK تحقيق
SUP90P06-09L-E3 Image SUP90P06-09L-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 90A TO220AB تحقيق
STP14NM65N Image STP14NM65N STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 تحقيق
IRLS3036TRL7PP Image IRLS3036TRL7PP Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK-7 تحقيق
STY30NK90Z Image STY30NK90Z STMicroelectronics MOSFET N-CH 900V 26A MAX247 تحقيق
IRF830STRL Image IRF830STRL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK تحقيق
XR46000ESETR Image XR46000ESETR Exar Corporation MOSFET N-CH 600V 1.5A SOT223 تحقيق
IRFBC30L Image IRFBC30L Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262 تحقيق
IXFR32N80P Image IXFR32N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247 تحقيق
IRFP23N50L Image IRFP23N50L Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 23A TO-247AC تحقيق
IPP45N06S409AKSA2 Image IPP45N06S409AKSA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3 تحقيق

Latest الأخبار