TK17E80W,S1X
رقم القطعة:
TK17E80W,S1X
الصانع:
Toshiba Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14023 Pieces
ورقة البيانات:
TK17E80W,S1X.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل TK17E80W,S1X ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك TK17E80W,S1X عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى TK17E80W,S1X مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 850µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-220
سلسلة:DTMOSIV
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:290 mOhm @ 8.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):180W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-220-3
اسماء اخرى:TK17E80W,S1X(S
TK17E80WS1X
درجة حرارة التشغيل:150°C
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:12 Weeks
الصانع الجزء رقم:TK17E80W,S1X
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2050pF @ 300V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:32nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 800V 17A (Ta) 180W (Tc) Through Hole TO-220
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):800V
وصف:MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:17A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات