العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > TK20G60W,RVQ
TK20G60W,RVQ
TK20G60W,RVQ
رقم القطعة:
TK20G60W,RVQ
الصانع:
Toshiba Semiconductor
وصف:
MOSFET N CH 600V 20A D2PAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14320 Pieces
ورقة البيانات:
TK20G60W,RVQ.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل TK20G60W,RVQ ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك TK20G60W,RVQ عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى TK20G60W,RVQ مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3.7V @ 1mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:D2PAK
سلسلة:DTMOSIV
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:155 mOhm @ 10A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):165W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
اسماء اخرى:TK20G60W,RVQ(S
TK20G60WRVQTR
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:16 Weeks
الصانع الجزء رقم:TK20G60W,RVQ
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1680pF @ 300V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:48nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:Super Junction
وصف موسع:N-Channel 600V 20A (Ta) 165W (Tc) Surface Mount D2PAK
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N CH 600V 20A D2PAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:20A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لTK20G60W,RVQ

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
TPH3206PD Image TPH3206PD Transphorm GAN FET 600V 17A TO220 تحقيق
IRFS3006TRLPBF Image IRFS3006TRLPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK تحقيق
IRFZ14PBF Image IRFZ14PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB تحقيق
ISL9N302AS3ST Image ISL9N302AS3ST Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK تحقيق
FDD8896_F085 Image FDD8896_F085 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 94A DPAK تحقيق
IRFR11N25D Image IRFR11N25D Vishay Siliconix MOSFET N-CH 250V DPAK تحقيق
IXFQ26N50Q Image IXFQ26N50Q IXYS MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P تحقيق
IPD042P03L3GATMA1 Image IPD042P03L3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 تحقيق
CSD16325Q5 Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON تحقيق
NVTFS5811NLTWG Image NVTFS5811NLTWG ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN تحقيق
AO3420 Image AO3420 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 تحقيق
IRF3710ZPBF Image IRF3710ZPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB تحقيق
CSD19534Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 50 8SON تحقيق
CEDM8001VL TR Image CEDM8001VL TR Central Semiconductor Corp MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT883 تحقيق
SI4409DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 150V 1.3A 8-SOIC تحقيق
IXFL55N50 Image IXFL55N50 IXYS MOSFET N-CH 500V 55A TO-264AA تحقيق
STL7N80K5 Image STL7N80K5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 8POWERFLAT تحقيق
IXTP182N055T Image IXTP182N055T IXYS MOSFET N-CH 55V 182A TO-220 تحقيق
IRL3102S Image IRL3102S Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK تحقيق
STL19N60DM2 Image STL19N60DM2 STMicroelectronics N-CHANNEL 600 V, 0.28 OHM TYP., تحقيق

Latest الأخبار