TK31E60W,S1VX
TK31E60W,S1VX
رقم القطعة:
TK31E60W,S1VX
الصانع:
Toshiba Semiconductor
وصف:
MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18816 Pieces
ورقة البيانات:
TK31E60W,S1VX.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل TK31E60W,S1VX ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك TK31E60W,S1VX عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى TK31E60W,S1VX مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3.7V @ 1.5mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-220
سلسلة:DTMOSIV
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:88 mOhm @ 15.4A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):230W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-220-3
اسماء اخرى:TK31E60W,S1VX(S
TK31E60WS1VX
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:16 Weeks
الصانع الجزء رقم:TK31E60W,S1VX
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:3000pF @ 300V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:86nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:Super Junction
وصف موسع:N-Channel 600V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-220
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:30.8A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات