العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > TK31J60W,S1VQ
TK31J60W,S1VQ
TK31J60W,S1VQ
رقم القطعة:
TK31J60W,S1VQ
الصانع:
Toshiba Semiconductor
وصف:
MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N)
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12397 Pieces
ورقة البيانات:
TK31J60W,S1VQ.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل TK31J60W,S1VQ ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك TK31J60W,S1VQ عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى TK31J60W,S1VQ مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3.7V @ 1.5mA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-3P(N)
سلسلة:DTMOSIV
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:88 mOhm @ 15.4A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):230W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-3P-3, SC-65-3
اسماء اخرى:TK31J60W,S1VQ(O
TK31J60WS1VQ
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:16 Weeks
الصانع الجزء رقم:TK31J60W,S1VQ
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:3000pF @ 300V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:86nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:Super Junction
وصف موسع:N-Channel 600V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N)
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:30.8A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لTK31J60W,S1VQ

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
CSD18563Q5AT Texas Instruments MOSFET N-CH 60V 100A 8SON تحقيق
NP50P03YDG-E1-AY Renesas Electronics America MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON تحقيق
IXTP15N50L2 Image IXTP15N50L2 IXYS MOSFET N-CH 500V 15A TO-220 تحقيق
IXFB210N20P Image IXFB210N20P IXYS MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264 تحقيق
STB6NK60Z-1 Image STB6NK60Z-1 STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK تحقيق
TK31J60W5,S1VQ Image TK31J60W5,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N) تحقيق
IXTA200N055T2 Image IXTA200N055T2 IXYS MOSFET N-CH 55V 200A TO-263 تحقيق
IRF7460 Image IRF7460 Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC تحقيق
DMN4010LFG-7 Image DMN4010LFG-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8 تحقيق
IXTV250N075TS Image IXTV250N075TS IXYS MOSFET N-CH 75V 250A PLUS220SMD تحقيق
NVMFS5113PLT1G Image NVMFS5113PLT1G ON Semiconductor MOSFET P-CH 60V 64A SO8FL تحقيق
AOT472 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 75V 10A TO220 تحقيق
SI7336ADP-T1-GE3 Image SI7336ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 تحقيق
NVD5802NT4G-VF01 Image NVD5802NT4G-VF01 ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK تحقيق
SI5433BDC-T1-GE3 Image SI5433BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8 تحقيق
PSMN4R8-100PSEQ Image PSMN4R8-100PSEQ Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V TO220AB تحقيق
STFW40N60M2 Image STFW40N60M2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 34A TO-3PF تحقيق

Latest الأخبار