TK35A08N1,S4X
TK35A08N1,S4X
رقم القطعة:
TK35A08N1,S4X
الصانع:
Toshiba Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 80V 35A TO-220
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16294 Pieces
ورقة البيانات:
TK35A08N1,S4X.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل TK35A08N1,S4X ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك TK35A08N1,S4X عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى TK35A08N1,S4X مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 300µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-220SIS
سلسلة:U-MOSVIII-H
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:12.2 mOhm @ 17.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):30W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
اسماء اخرى:TK35A08N1,S4X(S
TK35A08N1,S4X-ND
TK35A08N1S4X
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:12 Weeks
الصانع الجزء رقم:TK35A08N1,S4X
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1700pF @ 40V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:25nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 80V 35A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):80V
وصف:MOSFET N-CH 80V 35A TO-220
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات