TK8Q60W,S1VQ
TK8Q60W,S1VQ
رقم القطعة:
TK8Q60W,S1VQ
الصانع:
Toshiba Semiconductor
وصف:
MOSFET N CH 600V 8A IPAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12686 Pieces
ورقة البيانات:
TK8Q60W,S1VQ.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل TK8Q60W,S1VQ ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك TK8Q60W,S1VQ عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى TK8Q60W,S1VQ مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3.7V @ 400µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:I-Pak
سلسلة:DTMOSIV
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:500 mOhm @ 4A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):80W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-251-3 Stub Leads, IPak
اسماء اخرى:TK8Q60W,S1VQ(S
TK8Q60WS1VQ
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:12 Weeks
الصانع الجزء رقم:TK8Q60W,S1VQ
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:570pF @ 300V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:18.5nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:Super Junction
وصف موسع:N-Channel 600V 8A (Ta) 80W (Tc) Through Hole I-Pak
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N CH 600V 8A IPAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:8A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات