TPH2R608NH,L1Q
رقم القطعة:
TPH2R608NH,L1Q
الصانع:
Toshiba Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 75V 150A SOP8
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19541 Pieces
ورقة البيانات:
TPH2R608NH,L1Q.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل TPH2R608NH,L1Q ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك TPH2R608NH,L1Q عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى TPH2R608NH,L1Q مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 1mA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:8-SOP Advance (5x5)
سلسلة:U-MOSVIII-H
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:2.6 mOhm @ 50A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):142W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-PowerVDFN
اسماء اخرى:TPH2R608NH,L1Q(M
TPH2R608NHL1QTR
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:16 Weeks
الصانع الجزء رقم:TPH2R608NH,L1Q
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:6000pF @ 37.5V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:72nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 75V 150A (Tc) 142W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):75V
وصف:MOSFET N-CH 75V 150A SOP8
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:150A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات