يشترى TPH3208LS مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.6V @ 300µA |
---|---|
فغس (ماكس): | ±18V |
تكنولوجيا: | GaNFET (Gallium Nitride) |
تجار الأجهزة حزمة: | PQFN (8x8) |
سلسلة: | - |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 130 mOhm @ 13A, 8V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 96W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Tube |
حزمة / كيس: | 3-PowerDFN |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
الصانع الجزء رقم: | TPH3208LS |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 760pF @ 400V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 14nC @ 8V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 650V 20A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8) |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | - |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 650V |
وصف: | GAN FET 650V 20A PQFN88 |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
Email: | [email protected] |