يشترى TPS2812DR مع BYCHPS
شراء مع ضمان
TPS2812DR
- رقم القطعة:
- TPS2812DR
- الصانع:
- وصف:
- IC DUAL HS MOSFET DRVR 8-SOIC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19549 Pieces
- ورقة البيانات:
- TPS2812DR.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل TPS2812DR ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك TPS2812DR عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - توريد: | 4 V ~ 14 V |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SOIC |
| سلسلة: | - |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع): | 14ns, 15ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | 296-26927-2 TPS2812DR-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| تردد الإدخال: | 2 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | TPS2812DR |
| المنطق الجهد - فيل، فيه: | 1V, 4V |
| نوع المدخلات: | Non-Inverting |
| نوع البوابة: | N-Channel, P-Channel MOSFET |
| وصف موسع: | Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC |
| تكوين مدفوعة: | Low-Side |
| وصف: | IC DUAL HS MOSFET DRVR 8-SOIC |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة): | 2A, 2A |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس): | Synchronous |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTPS2812DR
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
|
TPS2812DRG4 | Texas Instruments | IC DUAL HS MOSFET DRVR 8-SOIC | تحقيق |
|
TPS2812PWRG4 | Texas Instruments | IC DUAL HS MOSFET DRVR 8-TSSOP | تحقيق |
|
TPS2812P | Texas Instruments | IC DUAL HIGH SPD FET DRVR 8-DIP | تحقيق |
|
TPS2812PWR | Texas Instruments | IC DUAL HS MOSFET DRVR 8-TSSOP | تحقيق |
|
TPS2813PG4 | Texas Instruments | IC DUAL HS MOSFET DRVR 8-DIP | تحقيق |
|
TPS2813DR | Texas Instruments | IC DUAL HS MOSFET DRVR 8-SOIC | تحقيق |
|
TPS2815D | Texas Instruments | IC DUAL 2A NAND FET DRVR 8-SOIC | تحقيق |
|
TPS2812D | Texas Instruments | IC DUAL HS FET DRIVER 8-SOIC | تحقيق |
|
TPS2813D | Texas Instruments | IC DUAL HS FET DRIVER 8-SOIC | تحقيق |
|
TPS2814DRG4 | Texas Instruments | IC DUAL HS MOSFET DRVR 8-SOIC | تحقيق |
|
TPS2819QDBVRQ1 | Texas Instruments | IC MOSFET DVR NON-INV SOT23-5 | تحقيق |
|
TPS2815PWR | Texas Instruments | IC DUAL HS MOSFET DRVR 8-TSSOP | تحقيق |
|
TPS2819DBVT | Texas Instruments | IC NONINVERT FET DRVR SOT23-5 | تحقيق |
|
TPS2812DG4 | Texas Instruments | IC DUAL HS MOSFET DRVR 8-SOIC | تحقيق |
|
TPS2812PG4 | Texas Instruments | IC DUAL HS MOSFET DRVR 8-DIP | تحقيق |
|
TPS2811DR | Texas Instruments | IC DUAL HS MOSFET DRVR 8-SOIC | تحقيق |
|
TPS2814DR | Texas Instruments | IC DUAL HS MOSFET DRVR 8-SOIC | تحقيق |
|
TPS2819DBVR | Texas Instruments | IC NONINVERT FET DRVR SOT-23-5 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog