يشترى UCC27531D مع BYCHPS
شراء مع ضمان
UCC27531D
- رقم القطعة:
- UCC27531D
- الصانع:
- وصف:
- IC GATE DRIVER FET/IGBT 8SOIC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19302 Pieces
- ورقة البيانات:
- UCC27531D.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل UCC27531D ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك UCC27531D عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - توريد: | 10 V ~ 32 V |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SOIC |
| سلسلة: | - |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع): | 15ns, 7ns |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | 296-42964-5 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 140°C (TJ) |
| تردد الإدخال: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | UCC27531D |
| المنطق الجهد - فيل، فيه: | 1.2V, 2.2V |
| نوع المدخلات: | Non-Inverting |
| نوع البوابة: | IGBT, N-Channel MOSFET |
| وصف موسع: | High-Side or Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC |
| تكوين مدفوعة: | High-Side or Low-Side |
| وصف: | IC GATE DRIVER FET/IGBT 8SOIC |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة): | 2.5A, 5A |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس): | Single |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لUCC27531D
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
|
UCC27537DBVT | Texas Instruments | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-5 | تحقيق |
|
UCC27538DBVR | Texas Instruments | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | تحقيق |
|
UCC27531DBVR | Texas Instruments | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | تحقيق |
|
UCC27532QDBVRQ1 | Texas Instruments | IC IGBT GATE DRIVER SOT-23-6 | تحقيق |
|
UCC27532DBVR | Texas Instruments | IC IGBT GATE DRIVER SOT-23-6 | تحقيق |
|
UCC27532DBVT | Texas Instruments | IC IGBT GATE DRIVER SOT-23-6 | تحقيق |
|
UCC27531DBVT | Texas Instruments | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | تحقيق |
|
UCC27531QDBVRQ1 | Texas Instruments | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | تحقيق |
|
UCC27536DBVT | Texas Instruments | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-5 | تحقيق |
|
UCC27533DBVT | Texas Instruments | IC GATE DVR FET/IGBT SOT23-5 | تحقيق |
|
UCC27533DBVR | Texas Instruments | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-5 | تحقيق |
|
UCC27537DBVR | Texas Instruments | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-5 | تحقيق |
|
UCC27524AQDRQ1 | Texas Instruments | IC GATE DVR 2CH LOW SIDE 8SOIC | تحقيق |
|
UCC27531DR | Texas Instruments | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET 8SOIC | تحقيق |
|
UCC27538DBVT | Texas Instruments | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | تحقيق |
|
UCC27536DBVR | Texas Instruments | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-5 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog