يشترى UNR421F00A مع BYCHPS
شراء مع ضمان
الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 50V |
---|---|
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم: | 250mV @ 300µA, 10mA |
نوع الترانزستور: | NPN - Pre-Biased |
تجار الأجهزة حزمة: | NS-B1 |
سلسلة: | - |
المقاوم - باعث قاعدة (R2) (أوم): | 10k |
المقاوم - قاعدة (R1) (أوم): | 4.7k |
السلطة - ماكس: | 300mW |
التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
حزمة / كيس: | NS-B1 |
اسماء اخرى: | UNR421F00ACT |
تصاعد نوع: | Through Hole |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع الجزء رقم: | UNR421F00A |
تردد - تحول: | 150MHz |
وصف موسع: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 300mW Through Hole NS-B1 |
وصف: | TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 |
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE: | 30 @ 5mA, 10V |
الحالي - جامع القطع (ماكس): | 500nA |
الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 100mA |
Email: | [email protected] |