يشترى UP04878G0L مع BYCHPS
شراء مع ضمان
UP04878G0L
- رقم القطعة:
- UP04878G0L
- الصانع:
- Panasonic
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 50V .1A SSMINI-6
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19838 Pieces
- ورقة البيانات:
- UP04878G0L.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل UP04878G0L ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك UP04878G0L عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.5V @ 1µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | SSMini6-F2 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 12 Ohm @ 10mA, 4V |
| السلطة - ماكس: | 125mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-563, SOT-666 |
| اسماء اخرى: | UP04878G0LTR |
| درجة حرارة التشغيل: | 125°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | UP04878G0L |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 12pF @ 3V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 100mA 125mW Surface Mount SSMini6-F2 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 50V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 50V .1A SSMINI-6 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لUP04878G0L
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FMM110-015X2F | IXYS | MOSFET 2N-CH 150V 53A I4-PAC | تحقيق |
 |
SP8J65TB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC | تحقيق |
 |
UP0487800L | Panasonic Electronic Components | MOSFET 2N-CH 50V .1A SS-MINI-6P | تحقيق |
 |
FDMQ86530L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 4N-CH 60V 8A MLP4.5X5 | تحقيق |
 |
19MT050XF | Vishay Semiconductor Diodes Division | MOSFET 4N-CH 500V 31A MTP | تحقيق |
|
UP0487C00L | Panasonic Electronic Components | MOSFET 2N-CH 20V 0.1A SSMINI-6 | تحقيق |
 |
ALD1106SBL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC | تحقيق |
 |
ZXMP6A16DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC | تحقيق |
 |
SI4933DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC | تحقيق |
 |
QJD1210010 | Powerex Inc. | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC | تحقيق |
 |
EFC6611R-A-TF | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 12V 27A EFCP | تحقيق |
|
SI4992EY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8-SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog