يشترى UPA2813T1L-E2-AT مع BYCHPS
شراء مع ضمان
UPA2813T1L-E2-AT
- رقم القطعة:
- UPA2813T1L-E2-AT
- الصانع:
- Renesas Electronics America
- وصف:
- MOSFET P-CH 30V 27A 8HVSON
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19010 Pieces
- ورقة البيانات:
- UPA2813T1L-E2-AT.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل UPA2813T1L-E2-AT ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك UPA2813T1L-E2-AT عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | - |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-HWSON (3.3x3.3) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 6.2 mOhm @ 27A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.5W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-PowerVDFN |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | UPA2813T1L-E2-AT |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 3130pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 80nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 30V 27A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET P-CH 30V 27A 8HVSON |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 27A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لUPA2813T1L-E2-AT
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
UPA2822T1L-E1-AT | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V 34A 8HVSON | تحقيق |
 |
UPA2812T1L-E1-AT | Renesas Electronics America | MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON | تحقيق |
|
UPA2816T1S-E2-AT | Renesas Electronics America | MOSFET P-CH 30V 17A 8HWSON | تحقيق |
|
UPA2812T1L-E2-AT | Renesas Electronics America | MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON | تحقيق |
|
UPA2813T1L-E1-AT | Renesas Electronics America | MOSFET P-CH 30V 27A 8HVSON | تحقيق |
|
UPA2814T1S-E2-AT | Renesas Electronics America | MOSFET P-CH 30V 24A 8HWSON | تحقيق |
|
UPA2821T1L-E1-AT | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V 26A 8HVSON | تحقيق |
|
UPA2815T1S-E2-AT | Renesas Electronics America | MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON | تحقيق |
|
UPA2820T1S-E2-AT | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V 8HVSON | تحقيق |
|
UPA2825T1S-E2-AT | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V 8HVSON | تحقيق |
 |
PHD21N06LT,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 19A DPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog