UPD166009T1F-E1-AY - Renesas Electronics America - بميك - مفاتيح توزيع الطاقة، تحميل السائقين UPD166009T1F-E1-AY

UPD166009T1F-E1-AY

رقم القطعة:: UPD166009T1F-E1-AY

الصانع:: Renesas Electronics America

وصف:: MOSFET N-CH TO252

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 17012 Pieces

ورقة البيانات:: UPD166009T1F-E1-AY.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل UPD166009T1F-E1-AY ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك UPD166009T1F-E1-AY عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى UPD166009T1F-E1-AY مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - توريد (VCC / VDD):	Not Required
الجهد - تحميل:	8 V ~ 18 V
تبديل نوع:	General Purpose
تجار الأجهزة حزمة:	TO-252 (MP-3ZK)
سلسلة:	-
رديز أون (تيب):	8 mOhm
نسبة - الإدخال: إخراج:	1:1
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
نوع المخرجات:	N-Channel
تكوين الناتج:	High Side
درجة حرارة التشغيل:	-
عدد من المخرجات:	1
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	UPD166009T1F-E1-AY
السطح البيني:	On/Off
نوع المدخلات:	Non-Inverting
الميزات:	Auto Restart
حماية الأخطاء:	Current Limiting (Fixed), Over Temperature
وصف:	MOSFET N-CH TO252
الحالي - الناتج (ماكس):	30A
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لUPD166009T1F-E1-AY

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
UPD166028T1K-E1-AY#YE	Renesas Electronics America	IC IPD HIGH SIDE DVR HSSOP	تحقيق
MIC94305YMT-T5	Microchip Technology	IC LOAD SWITCH 500MA 6TDFN	تحقيق
MIC5842BWM	Microchip Technology	IC DRVR LATCH 8BIT SER IN 18SOIC	تحقيق
UPD166028T1K-E1-AY#YW	Renesas Electronics America	IC IPD HIGH SIDE DVR HSSOP	تحقيق
TPS2052CDGNR	Texas Instruments	IC PWR DIST SWITCH DL 8MSOP	تحقيق
UPD166007T1F-E1-AY	Renesas Electronics America	MOSFET N-CH 28V 30A TO-252	تحقيق
TPS2206IDFR	Texas Instruments	IC DUAL PCMCIA POWER SW 30-SSOP	تحقيق
TPS22960RSET	Texas Instruments	IC LOAD SWITCH LV DUAL 8-UQFN	تحقيق
BD2045AFJ-E2	Rohm Semiconductor	IC SWITCH HIGH SIDE 1CH SOP-J8	تحقيق
VNS1NV04P-E	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 40V 1.7A 8SOIC	تحقيق
BTS6123B	Infineon Technologies	IC HIGH SIDE PWR SWITCH TO220-7	تحقيق
MC33982CHFK	NXP USA Inc.	IC SWITCH HI SIDE SINGLE 16PQFN	تحقيق
VND10BSP13TR	STMicroelectronics	IC SSR HISIDE ISO 40V POWERSO10	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار