يشترى US6M2TR مع BYCHPS
شراء مع ضمان
US6M2TR
- رقم القطعة:
- US6M2TR
- الصانع:
- LAPIS Semiconductor
- وصف:
- MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17654 Pieces
- ورقة البيانات:
- US6M2TR.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل US6M2TR ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك US6M2TR عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.5V @ 1mA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | TUMT6 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| السلطة - ماكس: | 1W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-SMD, Flat Leads |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | US6M2TR |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 80pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 2.2nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N and P-Channel |
| FET الميزة: | Standard |
| وصف موسع: | Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 1.5A, 1A 1W Surface Mount TUMT6 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V, 20V |
| وصف: | MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1.5A, 1A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لUS6M2TR
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SI1913EDH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6 | تحقيق |
 |
BUK9K12-60EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 60V 35A 56LFPAK | تحقيق |
 |
SI3552DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP | تحقيق |
 |
DMN4026SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO | تحقيق |
 |
ALD212908PAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP | تحقيق |
 |
TT8M1TR | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8 | تحقيق |
|
AO4850L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 75V 2.3A 8SOIC | تحقيق |
 |
VMM85-02F | IXYS | MOSFET 2N-CH 200V 84A Y4 | تحقيق |
 |
IRF3546MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 4N-CH 25V 16A/20A 41PQFN | تحقيق |
|
NDS9956A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC | تحقيق |
|
VWM270-0075X2 | IXYS | MOSFET 6N-CH 75V 270A V2-PAK | تحقيق |
 |
BSS84AKS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP | تحقيق |
 |
IRFH7911TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog