يشترى USB10H مع BYCHPS
شراء مع ضمان
USB10H
- رقم القطعة:
- USB10H
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17536 Pieces
- ورقة البيانات:
- USB10H.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل USB10H ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك USB10H عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | SuperSOT™-6 |
| سلسلة: | PowerTrench® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 170 mOhm @ 1.9A, 4.5V |
| السلطة - ماكس: | 700mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | USB10H |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 441pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 4.2nC @ 4.5V |
| نوع FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.9A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1.9A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لUSB10H
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
CSD75208W1015T | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP | تحقيق |
 |
SI1555DL-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V/8V SC70-6 | تحقيق |
|
SI4967DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC | تحقيق |
 |
DMHC3025LSDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC | تحقيق |
 |
IRF7316TR | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC | تحقيق |
 |
SI1023X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SOT563F | تحقيق |
 |
TPC8208(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOP | تحقيق |
|
ZXMHC3A01N8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC | تحقيق |
 |
DMG6301UDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363 | تحقيق |
|
SI1903DL-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6 | تحقيق |
 |
NTUD3127CT5G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V SOT-963 | تحقيق |
 |
SI7234DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO-8 | تحقيق |
|
DMC4029SSDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SO | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog