العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الثنائيات الصمامات الجسر > VBO25-12NO2
VBO25-12NO2
رقم القطعة:
VBO25-12NO2
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
DIODE BRIDGE 31A 1200V STD FO-A
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13193 Pieces
ورقة البيانات:
VBO25-12NO2.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل VBO25-12NO2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك VBO25-12NO2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى VBO25-12NO2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - قمة عكسي (ماكس):1200V
الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا:1.36V @ 55A
تكنولوجيا:Standard
تجار الأجهزة حزمة:FO-A
سلسلة:-
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:4-Square, FO-A
درجة حرارة التشغيل:-40°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:QC Terminal
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:16 Weeks
الصانع الجزء رقم:VBO25-12NO2
وصف موسع:Bridge Rectifier Single Phase 1200V 38A QC Terminal FO-A
نوع الصمام الثنائي:Single Phase
وصف:DIODE BRIDGE 31A 1200V STD FO-A
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي:300µA @ 1200V
الحالي - متوسط ​​مصحح (أيو):38A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لVBO25-12NO2

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
DB103G Image DB103G GeneSiC Semiconductor DIODE BRIDGE 200V 1A DB تحقيق
VJ248M Image VJ248M Microsemi Corporation DIODE BRIDGE 200V تحقيق
VS-2KBP02 Image VS-2KBP02 Vishay Semiconductor Diodes Division RECTIFIER BRIDGE 200V 2.0A D-44 تحقيق
GBJ2506-G-04 Image GBJ2506-G-04 Comchip Technology RECTIFIER BRIDGE 25A 600V GBJ تحقيق
VBO72-14NO7 Image VBO72-14NO7 IXYS DIODE BRIDGE 1400V 72A PWS-D تحقيق
KBPC35005W Image KBPC35005W GeneSiC Semiconductor DIODE BRIDGE 50V 35A KBPC-W تحقيق
VBO25-16AO2 IXYS BRIDGE RECT SGL PHASE 1600V 38A تحقيق
VBO25-14AO2 IXYS DIODE BRIDGE 31A 1400V AVAL FO-A تحقيق
GSIB15A80N-M3/45 Vishay Semiconductor Diodes Division BRIDGE RECT 15A 800V GSIB-5S تحقيق
APTDC40H1201G Image APTDC40H1201G Microsemi Corporation POWER MODULE DIODE 1200V 40A SP1 تحقيق
MB2S-TP Image MB2S-TP Micro Commercial Co IC RECT BRIDGE 0.5A 200V MBS-1 تحقيق
GBPC5002-G Comchip Technology RECTIFIER BRIDGE 50A 200V GBPC تحقيق
VBO25-12AO2 IXYS DIODE BRIDGE 31A 1200V AVAL FO-A تحقيق
GBJ25005-BP Image GBJ25005-BP Micro Commercial Co RECT BRIDGE GPP 25A 50V GBJ تحقيق
VBO25-08NO2 IXYS DIODE BRIDGE 31A 800V STD FO-A تحقيق
GBJ1001-BP Image GBJ1001-BP Micro Commercial Co RECT BRIDGE GPP 10A 100V GBJ تحقيق
VBO25-16NO2 IXYS DIODE BRIDGE 31A 1600V AVAL FO-A تحقيق
VBO25-14NO2 IXYS DIODE BRIDGE 31A 1400V STD FO-A تحقيق
KBP10M-E4/51 Image KBP10M-E4/51 Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE 1.5A 1000V KBPM تحقيق
GBU404-G Comchip Technology RECTIFIER BRIDGE 4A 400V GBU تحقيق

Latest الأخبار