يشترى VBT1080S-M3/8W مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VBT1080S-M3/8W
- رقم القطعة:
- VBT1080S-M3/8W
- وصف:
- DIODE SCHOTTKY 10A 80V TO-263AB
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19414 Pieces
- ورقة البيانات:
- VBT1080S-M3/8W.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل VBT1080S-M3/8W ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك VBT1080S-M3/8W عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 810mV @ 10A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 80V |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-263AB |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 28 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | VBT1080S-M3/8W |
| وصف موسع: | Diode Schottky 80V 10A Surface Mount TO-263AB |
| نوع الصمام الثنائي: | Schottky |
| وصف: | DIODE SCHOTTKY 10A 80V TO-263AB |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 600µA @ 80V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 10A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لVBT1080S-M3/8W
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
VBT1080S-M3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 10A 80V TO-263AB | تحقيق |
|
VBT1080S-E3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 10A 80V TO-263AB | تحقيق |
|
VBT1080C-E3/8W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 10A 80V TO-263AB | تحقيق |
|
VBT1080C-E3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 10A 80V TO-263AB | تحقيق |
|
VBT1045C-E3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO263AB | تحقيق |
|
VBT1080S-E3/8W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 10A 80V TO-263AB | تحقيق |
|
VBT10200C-E3/8W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 10A 200V TO-263AB | تحقيق |
|
VBT1080C-M3/8W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 10A 80V TO-263AB | تحقيق |
|
VBT1080C-M3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 10A 80V TO-263AB | تحقيق |
|
VBT1060C-E3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 10A 60V TO-263AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog