يشترى VND10N06-1-E مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VND10N06-1-E
- رقم القطعة:
- VND10N06-1-E
- الصانع:
- ST
- وصف:
- MOSFET OMNIFET 60V 10A IPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12263 Pieces
- ورقة البيانات:
- VND10N06-1-E.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل VND10N06-1-E ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك VND10N06-1-E عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - توريد (VCC / VDD): | Not Required |
|---|---|
| الجهد - تحميل: | - |
| تبديل نوع: | General Purpose |
| تجار الأجهزة حزمة: | I-Pak |
| سلسلة: | OMNIFET™, VIPower™ |
| رديز أون (تيب): | 150 mOhm |
| نسبة - الإدخال: إخراج: | 1:1 |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| نوع المخرجات: | N-Channel |
| تكوين الناتج: | Low Side |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| عدد من المخرجات: | 1 |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 18 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | VND10N06-1-E |
| السطح البيني: | On/Off |
| نوع المدخلات: | Non-Inverting |
| الميزات: | - |
| حماية الأخطاء: | Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage |
| وصف: | MOSFET OMNIFET 60V 10A IPAK |
| الحالي - الناتج (ماكس): | 6A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لVND10N06-1-E
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
VND10N06TR-E | STMicroelectronics | MOSFET OMNIFET 60V 10A DPAK | تحقيق |
|
VND10N06-E | STMicroelectronics | MOSFET OMNIFET 60V 10A DPAK | تحقيق |
 |
VND10BSP-E | STMicroelectronics | IC SMART PWR SSR 2CH POWERSO10 | تحقيق |
 |
VND10B-12-E | STMicroelectronics | IC SSR HI SIDE DUAL PENTAWATT | تحقيق |
|
VND10BSP | STMicroelectronics | IC SSR HISIDE ISO 40V POWERSO10 | تحقيق |
 |
VND10N06-1 | STMicroelectronics | MOSFET POWER 60V 10A IPAK | تحقيق |
 |
VND10B(011Y) | STMicroelectronics | IC SMART PWR SSR 2CH PENTAWATT-5 | تحقيق |
|
VND10N0613TR | STMicroelectronics | MOSFET OMNIFET 60V 10A DPAK | تحقيق |
|
VND10N06 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 10A DPAK | تحقيق |
|
VND10B-11-E | STMicroelectronics | IC SSR HI SIDE 2CH PENTAWATT HRZ | تحقيق |
|
VND10B(012Y) | STMicroelectronics | IC SMART PWR SSR 2CH PENTAWATT-5 | تحقيق |
|
VND10BSPTR-E | STMicroelectronics | IC SMART PWR SSR 2CH POWERSO10 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog