يشترى VND1NV0413TR مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VND1NV0413TR
- رقم القطعة:
- VND1NV0413TR
- الصانع:
- ST
- وصف:
- MOSFET POWER OMNIFET II DPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18176 Pieces
- ورقة البيانات:
- VND1NV0413TR.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل VND1NV0413TR ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك VND1NV0413TR عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - توريد (VCC / VDD): | Not Required |
|---|---|
| الجهد - تحميل: | 36V (Max) |
| تبديل نوع: | General Purpose |
| تجار الأجهزة حزمة: | D-Pak |
| سلسلة: | OMNIFET II™, VIPower™ |
| رديز أون (تيب): | 250 mOhm (Max) |
| نسبة - الإدخال: إخراج: | 1:1 |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| نوع المخرجات: | N-Channel |
| تكوين الناتج: | Low Side |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| عدد من المخرجات: | 1 |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع الجزء رقم: | VND1NV0413TR |
| السطح البيني: | On/Off |
| نوع المدخلات: | Non-Inverting |
| الميزات: | - |
| حماية الأخطاء: | Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage |
| وصف: | MOSFET POWER OMNIFET II DPAK |
| الحالي - الناتج (ماكس): | 1.7A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لVND1NV0413TR
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
VND1NV04-1 | STMicroelectronics | MOSFET OMNIFETII 40V 1.7A DPAK | تحقيق |
|
VND1NV04 | STMicroelectronics | MOSFET POWER OMNIFET II DPAK | تحقيق |
 |
DRV120PWR | Texas Instruments | IC PWM SOLENOID DRVR 8TSSOP | تحقيق |
|
E-L6220 | STMicroelectronics | TRANS 4NPN DARL 50V 1.8A 16DIP | تحقيق |
|
VND1NV04-1-E | STMicroelectronics | MOSFET OMNIFETII 40V 1.7A IPAK | تحقيق |
|
VND1NV04-E | STMicroelectronics | IC PWR MOSFET 40V 1.7A DPAK | تحقيق |
 |
VN920SP | STMicroelectronics | IC SSR HIGHSIDE 1CH POWERSO10 | تحقيق |
|
VND1NV04TR-E | STMicroelectronics | IC PWR MOSFET 40V 1.7A DPAK | تحقيق |
 |
AP2822GKATR-G1 | Diodes Incorporated | IC USB POWER SWITCH | تحقيق |
 |
BD6519FJ-E2 | Rohm Semiconductor | IC SWITCH HIGH SIDE 1CH SOP-J8 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog