يشترى VP0550N3-G-P013 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VP0550N3-G-P013
- رقم القطعة:
- VP0550N3-G-P013
- وصف:
- MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18144 Pieces
- ورقة البيانات:
- VP0550N3-G-P013.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل VP0550N3-G-P013 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك VP0550N3-G-P013 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 1mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-92-3 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 125 Ohm @ 10mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 5 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | VP0550N3-G-P013 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 70pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 500V 54mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 500V |
| وصف: | MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 54mA (Tj) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لVP0550N3-G-P013
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFH270N06T3 | IXYS | 60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE | تحقيق |
 |
AON7702 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 20A 8-DFN | تحقيق |
 |
BSZ065N03LS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 12A TSDSON-8 | تحقيق |
 |
APTM120U10DAG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 | تحقيق |
 |
IRF3707STRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK | تحقيق |
 |
IRF630NLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262 | تحقيق |
 |
IXTQ26N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P | تحقيق |
 |
IRFU9210 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 1.9A I-PAK | تحقيق |
 |
VP0550N3-G | Microchip Technology | MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3 | تحقيق |
 |
IRFR3706TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 75A DPAK | تحقيق |
 |
IXFT26N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-268 | تحقيق |
 |
IRFH5220TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN | تحقيق |
 |
IXFH10N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 10A TO-247AD | تحقيق |
 |
IXFX30N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A PLUS247 | تحقيق |
 |
CSD25304W1015 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA | تحقيق |
 |
STF20N90K5 | STMicroelectronics | N-CHANNEL 900 V, 0.24 OHM TYP., | تحقيق |
|
DN1509K1-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 90V 0.2A SOT23-5 | تحقيق |
 |
SI2309CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog