VRF191 - Microsemi Corporation - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف VRF191 - BYCHIPS

VRF191

رقم القطعة:: VRF191

الصانع:: Microsemi

وصف:: MOSFET RF N-CH 100V 150W T11

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 19015 Pieces

ورقة البيانات:: VRF191.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل VRF191 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك VRF191 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى VRF191 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:	100V
الجهد - تقييمه:	270V
نوع الترانزستور:	N-Channel
تجار الأجهزة حزمة:	T11
سلسلة:	-
مخرج قوي:	150W
التعبئة والتغليف:	Bulk
حزمة / كيس:	T11
الضوضاء الشكل:	-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	VRF191
ربح:	22dB
تردد:	30MHz
وصف موسع:	RF Mosfet N-Channel 100V 250mA 30MHz 22dB 150W T11
وصف:	MOSFET RF N-CH 100V 150W T11
التصويت الحالي:	12A
الحالي - اختبار:	250mA
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لVRF191

صورة	رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
	PTFA092201FV4XWSA1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2	تحقيق
	PTFA192001E1V4XWSA1	Infineon Technologies	FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2	تحقيق
	MRF7S16150HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.66GHZ NI-780S	تحقيق
	AFT18S290-13SR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.96GHZ NI-880X-2L4S	تحقيق
	MRF9030LSR5	NXP USA Inc.	FET RF 68V 945MHZ NI-360S	تحقيق
	PTAC260302FCV1XWSA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS	تحقيق
	VRF191MP	Microsemi Corporation	MOSFET RF N-CH 100V 150W T11	تحقيق
	PTFA080551F V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2	تحقيق
	BF908WR,115	NXP USA Inc.	MOSFET NCH DUAL GATE 12V CMPAK-4	تحقيق
	MRF8S21200HSR6	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230HS	تحقيق
	BLC9G24XS-170AVZ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12753	تحقيق
	VRF161MP	Microsemi Corporation	FET RF NCH 170V 30MHZ M174	تحقيق
	PD84008S-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF	تحقيق

Latest الأخبار