يشترى VSSA310S-E3/5AT مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VSSA310S-E3/5AT
- رقم القطعة:
- VSSA310S-E3/5AT
- وصف:
- DIODE SCHOTTKY 100V 1.7A DO214AC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13977 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.VSSA310S-E3/5AT.pdf2.VSSA310S-E3/5AT.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل VSSA310S-E3/5AT ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك VSSA310S-E3/5AT عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 800mV @ 3A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 100V |
| تجار الأجهزة حزمة: | DO-214AC (SMA) |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | TMBS® |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | DO-214AC, SMA |
| اسماء اخرى: | VSSA310S-E3/5ATGITR |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -40°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 26 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | VSSA310S-E3/5AT |
| وصف موسع: | Diode Schottky 100V 1.7A (DC) Surface Mount DO-214AC (SMA) |
| نوع الصمام الثنائي: | Schottky |
| وصف: | DIODE SCHOTTKY 100V 1.7A DO214AC |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 150µA @ 100V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 1.7A (DC) |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 175pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لVSSA310S-E3/5AT
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
VSSA310S-M3/5AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 1.7A DO214AC | تحقيق |
|
VSSA310S-E3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 1.7A DO214AC | تحقيق |
|
VSSA310S-M3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 1.7A DO214AC | تحقيق |
 |
GI812-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | تحقيق |
|
VSSA3L6S-M3/5AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 60V 2.5A DO214AC | تحقيق |
|
VSSA3L6S-M3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 60V 2.5A DO214AC | تحقيق |
 |
MBR1660HE3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 60V 16A TO220AB | تحقيق |
|
VSSA36S-M3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 60V 2.4A DO214AC | تحقيق |
 |
S1MDF-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 1KV 1A DFLAT | تحقيق |
 |
BYV79E-200,127 | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 200V 14A TO220AC | تحقيق |
|
VSSA36S-M3/5AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 60V 2.4A DO214AC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog