يشترى VSSB410S-M3/5BT مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VSSB410S-M3/5BT
- رقم القطعة:
- VSSB410S-M3/5BT
- وصف:
- DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14882 Pieces
- ورقة البيانات:
- VSSB410S-M3/5BT.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل VSSB410S-M3/5BT ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك VSSB410S-M3/5BT عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 770mV @ 4A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 100V |
| تجار الأجهزة حزمة: | DO-214AA (SMB) |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | TMBS® |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | DO-214AA, SMB |
| اسماء اخرى: | VSSB410SM35BT |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -40°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 26 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | VSSB410S-M3/5BT |
| وصف موسع: | Diode Schottky 100V 1.9A Surface Mount DO-214AA (SMB) |
| نوع الصمام الثنائي: | Schottky |
| وصف: | DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 250µA @ 100V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 1.9A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 230pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لVSSB410S-M3/5BT
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
VSSB410S-M3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA | تحقيق |
|
VSSB420S-M3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 200V 1.8A DO214AA | تحقيق |
|
VSSB410S-E3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA | تحقيق |
|
VSSB410S-E3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA | تحقيق |
 |
VS-SD803C04S10C | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE MODULE 400V 845A B-43 | تحقيق |
 |
HFA25TB60STRL | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 25A D2PAK | تحقيق |
 |
SE10DDHM3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 3A TO263AC | تحقيق |
|
VSSB420S-M3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 200V 1.8A DO214AA | تحقيق |
 |
CD1408-FU1200 | Bourns Inc. | DIODE GEN PURP 200V 1A 1408 | تحقيق |
 |
FR12D05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 12A DO4 | تحقيق |
 |
CMSH3-40MA TR13 | Central Semiconductor Corp | DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMA | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog