يشترى VT6M1T2CR مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VT6M1T2CR
- رقم القطعة:
- VT6M1T2CR
- الصانع:
- LAPIS Semiconductor
- وصف:
- MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12829 Pieces
- ورقة البيانات:
- VT6M1T2CR.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل VT6M1T2CR ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك VT6M1T2CR عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 100µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | VMT6 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| السلطة - ماكس: | 120mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-SMD, Flat Leads |
| اسماء اخرى: | VT6M1T2CRTR |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 17 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | VT6M1T2CR |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 7.1pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | N and P-Channel |
| FET الميزة: | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
| وصف موسع: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 100mA 120mW Surface Mount VMT6 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لVT6M1T2CR
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SI4562DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC | تحقيق |
 |
DMC3400SDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V SOT363 | تحقيق |
 |
AO4818B | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC | تحقيق |
|
SI4936BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC | تحقيق |
 |
NTMFD4C88NT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 8DFN | تحقيق |
 |
STS9D8NH3LL | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 30V 8A/9A 8SOIC | تحقيق |
 |
TT8J1TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 2.5A TSST8 | تحقيق |
 |
DMC4029SK4-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 40V 8.3A TO252 | تحقيق |
 |
APTC60DSKM70T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog