يشترى VUB116-16NO1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VUB116-16NO1
- رقم القطعة:
- VUB116-16NO1
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- RECT BRIDGE 3PH 1600V 116A E2
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19758 Pieces
- ورقة البيانات:
- VUB116-16NO1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل VUB116-16NO1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك VUB116-16NO1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | 1600V |
|---|---|
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 2.76V @ 30A |
| تكنولوجيا: | Standard |
| تجار الأجهزة حزمة: | E2 |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | E2 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | VUB116-16NO1 |
| وصف موسع: | Bridge Rectifier Three Phase (Braking) 1600V 116A Chassis Mount E2 |
| نوع الصمام الثنائي: | Three Phase (Braking) |
| وصف: | RECT BRIDGE 3PH 1600V 116A E2 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 100µA @ 1600V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 116A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لVUB116-16NO1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
EFG15G | Crydom Co. | MODULE DIODE 170A 530VAC | تحقيق |
 |
KBU3508-G | Comchip Technology | RECTIFIER BRIDGE 35A 800V KBU | تحقيق |
 |
VUB116-16NOXT | IXYS | DIODE BRIDGE 1600V 120A | تحقيق |
 |
DF10MA-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1A 1000V 4DIP | تحقيق |
|
VBO65-18NO7 | IXYS | DIODE BRIDGE 1800V 65A FO-T-A | تحقيق |
 |
VS-40MT160KPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | MOD BRIDGE 3PHASE MTP | تحقيق |
 |
PB64 | Micro Commercial Co | RECTIFIER BRIDGE 6A 400V PB-6 | تحقيق |
|
VUO30-14NO3 | IXYS | RECT BRIDGE 3PH 37A 1400V FO-F-B | تحقيق |
 |
DSRHD10-13 | Diodes Incorporated | RECT BRIDGE 1A 1KV T-MINIDIP | تحقيق |
 |
CMKBR-6F BK | Central Semiconductor Corp | DIODE RECTIFIER BRIDGE SOT143 | تحقيق |
 |
VS-36MT120 | Vishay Semiconductor Diodes Division | RECT BRIDGE 3-PHA 1200V 35A D-63 | تحقيق |
 |
VUO55-12NO7 | IXYS | RECT BRIDGE 3PH 58A 1200V PWS-B | تحقيق |
 |
KBP06M-E4/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1.5A 600V KBPM | تحقيق |
 |
803-2 | Microsemi Corporation | DIODE BRIDGE 22.5A SMD | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog