يشترى VUE50-12NO1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VUE50-12NO1
- رقم القطعة:
- VUE50-12NO1
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- DIODE BRIDGE FAST 1200V V1-A
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13425 Pieces
- ورقة البيانات:
- VUE50-12NO1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل VUE50-12NO1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك VUE50-12NO1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | 1200V |
|---|---|
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 2.55V @ 30A |
| تكنولوجيا: | Standard |
| تجار الأجهزة حزمة: | V1A-PAK |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | V1A-PAK |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | VUE50-12NO1 |
| وصف موسع: | Bridge Rectifier Three Phase 1200V 50A Chassis Mount V1A-PAK |
| نوع الصمام الثنائي: | Three Phase |
| وصف: | DIODE BRIDGE FAST 1200V V1-A |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 750µA @ 1200V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 50A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لVUE50-12NO1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
VS-36MB10A | Vishay Semiconductor Diodes Division | RECTIFIER BRIDGE 100V 35A D-34A | تحقيق |
 |
APT75DL60HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 600V SOT-227 | تحقيق |
 |
DLA100B1200LB | IXYS | RECT BRIDGE 1200V 132A DPAK | تحقيق |
 |
DF210S-G | Comchip Technology | RECT BRIDGE GPP 1000V 2A DFS | تحقيق |
 |
GBLA06-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1PH 4A 600V GBL | تحقيق |
 |
KBPC5004W | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 400V 50A KBPC-W | تحقيق |
 |
KBL06 | Fairchild/ON Semiconductor | IC BRIDGE RECT 4A 600V KBL | تحقيق |
 |
KBPC1008-G | Comchip Technology | RECTIFIER BRIDGE 10A 800V KBPC | تحقيق |
 |
CBR10F-J080 | Central Semiconductor Corp | RECT BRIDGE | تحقيق |
 |
GHXS015A120S-D1E | Global Power Technologies Group | MOD SBD BRIDGE 1200V 15A SOT227 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog