XC17S30XLVOG8I - Xilinx Inc. - الذاكرة - تكوين برومز ل فبغا XC17S30XLVOG8I

XC17S30XLVOG8I

رقم القطعة:: XC17S30XLVOG8I

الصانع:: Xilinx

وصف:: IC PROM SERIAL 3.3V 300K 8-SOIC

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 18245 Pieces

ورقة البيانات:: XC17S30XLVOG8I.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل XC17S30XLVOG8I ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك XC17S30XLVOG8I عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى XC17S30XLVOG8I مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - توريد:	3 V ~ 3.6 V
تجار الأجهزة حزمة:	8-TSOP
سلسلة:	-
برمجة نوع:	OTP
التعبئة والتغليف:	Tube
حزمة / كيس:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
درجة حرارة التشغيل:	-40°C ~ 85°C
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	3 (168 Hours)
حجم الذاكرة:	300kb
الصانع الجزء رقم:	XC17S30XLVOG8I
وصف:	IC PROM SERIAL 3.3V 300K 8-SOIC
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لXC17S30XLVOG8I

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
XC17S30APD8I	Xilinx Inc.	IC PROM SER 30000 I-TEMP 8-DIP	تحقيق
XC17S30XLVOG8C	Xilinx Inc.	IC PROM SERIAL 3.3V 300K 8-SOIC	تحقيق
XC17S30AVO8C	Xilinx Inc.	IC PROM SER 300K 8-SOIC	تحقيق
XC17S30VO8C	Xilinx Inc.	IC PROM SER 300K 8-SOIC	تحقيق
XC17S30XLPDG8C	Xilinx Inc.	IC PROM PROG C-TEMP 3.3V 8-DIP	تحقيق
XC17S30PD8I	Xilinx Inc.	IC PROM PROG I-TEMP 5V 8-DIP	تحقيق
XC17S30APD8C	Xilinx Inc.	IC PROM SER 30000 C-TEMP 8-DIP	تحقيق
XC17S30XLPD8C	Xilinx Inc.	IC PROM PROG C-TEMP 3.3V 8-DIP	تحقيق
XC17S30XLVO8I	Xilinx Inc.	IC 3V PROM SER 300K 8-SOIC	تحقيق
XC17S30XLPD8I	Xilinx Inc.	IC PROM PROG I-TEMP 3.3V 8-DIP	تحقيق
XC17S30ASO20C	Xilinx Inc.	IC PROM SER 30000 C-TEMP 20-SOIC	تحقيق
XC17S30AVO8I	Xilinx Inc.	IC PROM SER 300K 8-SOIC	تحقيق
XC17S30XLVO8C	Xilinx Inc.	IC 3V PROM SER 300K 8-SOIC	تحقيق
XC17S30ASO20I	Xilinx Inc.	IC PROM SER 30000 I-TEMP 20-SOIC	تحقيق
XC17S30PD8C	Xilinx Inc.	IC PROM PROG C-TEMP 5V 8-DIP	تحقيق
XC17S30VO8I	Xilinx Inc.	IC PROM SER 300K 8-SOIC	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار