يشترى ZHCS1006TC مع BYCHPS
شراء مع ضمان
ZHCS1006TC
- رقم القطعة:
- ZHCS1006TC
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- DIODE SCHOTTKY 60V 900MA SOT23-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14623 Pieces
- ورقة البيانات:
- ZHCS1006TC.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل ZHCS1006TC ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك ZHCS1006TC عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 530mV @ 750mA |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 60V |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-23-3 |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 12ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 125°C (Max) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | ZHCS1006TC |
| وصف موسع: | Diode Schottky 60V 900mA (DC) Surface Mount SOT-23-3 |
| نوع الصمام الثنائي: | Schottky |
| وصف: | DIODE SCHOTTKY 60V 900MA SOT23-3 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 100µA @ 45V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 900mA (DC) |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 17pF @ 25V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لZHCS1006TC
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
ZHCS1000QTA | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOT23 | تحقيق |
 |
PMEG045T150EPDZ | Nexperia USA Inc. | DIODE SCHOTTKY 45V 15A CFP15 | تحقيق |
 |
ZHCS1006TA | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 60V 900MA SOT23-3 | تحقيق |
|
ZHCS1000TA | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOT23-3 | تحقيق |
 |
ES 1Z | Sanken | DIODE GEN PURP 200V 700MA AXIAL | تحقيق |
 |
SSA33LHE3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AC | تحقيق |
 |
JANTXV1N4246 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | تحقيق |
 |
MDO500-20N1 | IXYS | DIODE MODULE 2KV 560A Y1-CU | تحقيق |
 |
UGB8JTHE3/81 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB | تحقيق |
 |
CSFA104-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | تحقيق |
 |
1N5399 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO15 | تحقيق |
 |
VS-VSKE250-04PBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN 400V 250A MAGNAPAK | تحقيق |
 |
1N4002GPE-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog