يشترى ZVN2110GTA مع BYCHPS
شراء مع ضمان
ZVN2110GTA
- رقم القطعة:
- ZVN2110GTA
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17469 Pieces
- ورقة البيانات:
- ZVN2110GTA.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل ZVN2110GTA ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك ZVN2110GTA عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.4V @ 1mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-223 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 4 Ohm @ 1A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-261-4, TO-261AA |
| اسماء اخرى: | ZVN2110GTR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | ZVN2110GTA |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 75pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 500mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 500mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لZVN2110GTA
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
ZVN2120A | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3 | تحقيق |
 |
ZVN2110A | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3 | تحقيق |
 |
ZVN2110GTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223 | تحقيق |
|
ZVN2106ASTOB | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3 | تحقيق |
|
ZVN2110ASTOB | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3 | تحقيق |
|
ZVN2110ASTOA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3 | تحقيق |
|
ZVN2120ASTOB | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3 | تحقيق |
|
ZVN2106GTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.71A SOT223 | تحقيق |
|
ZVN2120ASTZ | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3 | تحقيق |
|
ZVN2106GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 710MA SOT223 | تحقيق |
|
ZVN2120GTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.32A SOT223 | تحقيق |
|
ZVN2110ASTZ | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3 | تحقيق |
|
ZVN2106ASTOA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog