يشترى ZXGD3009E6TA مع BYCHPS
شراء مع ضمان
ZXGD3009E6TA
- رقم القطعة:
- ZXGD3009E6TA
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17401 Pieces
- ورقة البيانات:
- ZXGD3009E6TA.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل ZXGD3009E6TA ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك ZXGD3009E6TA عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - توريد: | 40V (Max) |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-26 |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101 |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع): | 210ns, 240ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-23-6 |
| اسماء اخرى: | ZXGD3009E6TADITR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تردد الإدخال: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | ZXGD3009E6TA |
| المنطق الجهد - فيل، فيه: | - |
| نوع المدخلات: | Non-Inverting |
| نوع البوابة: | N-Channel MOSFET |
| وصف موسع: | Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting SOT-26 |
| تكوين مدفوعة: | Low-Side |
| وصف: | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة): | 2A, 2A |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس): | Single |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لZXGD3009E6TA
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
ZXGD3002E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | تحقيق |
|
ZXGD3001E6QTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | تحقيق |
|
ZXGD3003E6QTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | تحقيق |
|
ZXGD3005E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DVR IGBT/MOSFET SOT26 | تحقيق |
 |
ZXGD3009DYTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT363 | تحقيق |
|
ZXGD3001E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | تحقيق |
|
ZXGD3006E6QTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | تحقيق |
|
ZXGD3006E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | تحقيق |
|
ZXGD3004E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | تحقيق |
|
ZXGD3003E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog