يشترى ZXM62P03E6TA مع BYCHPS
شراء مع ضمان
ZXM62P03E6TA
- رقم القطعة:
- ZXM62P03E6TA
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT-23-6
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19397 Pieces
- ورقة البيانات:
- ZXM62P03E6TA.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل ZXM62P03E6TA ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك ZXM62P03E6TA عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-26 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 150 mOhm @ 1.6A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 625mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-23-6 |
| اسماء اخرى: | ZXM62P03E6TR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | ZXM62P03E6TA |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 330pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 10.2nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 30V 1.5A (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-26 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT-23-6 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لZXM62P03E6TA
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPP037N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 | تحقيق |
 |
IPT012N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF | تحقيق |
 |
ZXM62P03GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 2.9A SOT223 | تحقيق |
|
ZXM62N03GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V ENHANCE SOT223 | تحقيق |
 |
ZXM62P03E6TC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-6 | تحقيق |
 |
SFT1440-TL-E | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 1.5A TP-FA | تحقيق |
 |
IRF7469PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 9A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IXTT120N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 | تحقيق |
|
ZXM62P02E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6 | تحقيق |
|
ZXM62N03E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6 | تحقيق |
 |
STB12NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | تحقيق |
 |
IRFZ46ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB | تحقيق |
 |
IPA60R280E6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220 | تحقيق |
 |
BSC050N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 85A TDSON-8 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog