يشترى ZXMN2A01E6TC مع BYCHPS
شراء مع ضمان
ZXMN2A01E6TC
- رقم القطعة:
- ZXMN2A01E6TC
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12444 Pieces
- ورقة البيانات:
- ZXMN2A01E6TC.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل ZXMN2A01E6TC ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك ZXMN2A01E6TC عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 700mV @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-23-6 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 120 mOhm @ 4A, 4.5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.1W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-23-6 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | ZXMN2A01E6TC |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 303pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 3nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 20V 2.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 2.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لZXMN2A01E6TC
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
ZXMN2A04DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC | تحقيق |
 |
ZXMN2F34MATA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2 | تحقيق |
|
ZXMN2A02N8TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC | تحقيق |
|
ZXMN2A04DN8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC | تحقيق |
 |
ZXMN2A01FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3 | تحقيق |
|
ZXMN2F34FHTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3 | تحقيق |
 |
ZXMN2A03E6TC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6 | تحقيق |
|
ZXMN2A01FTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3 | تحقيق |
|
ZXMN2A01E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 2.44 A SOT-23-6 | تحقيق |
|
ZXMN2A03E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT-23-6 | تحقيق |
 |
ZXMN2A02X8TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP | تحقيق |
|
ZXMN2A02X8TC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP | تحقيق |
|
ZXMN2A05N8TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC | تحقيق |
|
ZXMN2B01FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog