يشترى ZXMN4A06GTA مع BYCHPS
شراء مع ضمان
ZXMN4A06GTA
- رقم القطعة:
- ZXMN4A06GTA
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET N-CH 40V 5A SOT223
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19053 Pieces
- ورقة البيانات:
- ZXMN4A06GTA.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل ZXMN4A06GTA ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك ZXMN4A06GTA عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-223 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 50 mOhm @ 4.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-261-4, TO-261AA |
| اسماء اخرى: | ZXMN4A06GTR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | ZXMN4A06GTA |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 770pF @ 40V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 18.2nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 40V 5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 40V |
| وصف: | MOSFET N-CH 40V 5A SOT223 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لZXMN4A06GTA
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BUK7905-40AIE,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB | تحقيق |
 |
ZVN0124ASTOB | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3 | تحقيق |
 |
DMN5L06-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 280MA SOT23-3 | تحقيق |
 |
PHT8N06LT,135 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223 | تحقيق |
 |
HUF75639S3S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK | تحقيق |
 |
ZXMN4A06KTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 7.2A DPAK | تحقيق |
 |
ZVN4206GVTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1A SOT223 | تحقيق |
 |
IRF8721GPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | تحقيق |
 |
BUK95150-55A,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 13A TO220AB | تحقيق |
 |
PH2525L,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | تحقيق |
 |
NTB23N03R | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK | تحقيق |
 |
IXTA80N12T2 | IXYS | MOSFET N-CH 120V 80A TO-263 | تحقيق |
 |
SI7160DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 | تحقيق |
 |
GKI04031 | Sanken | MOSFET N-CH 40V 17A 8DFN | تحقيق |
 |
IRF2807ZSPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK | تحقيق |
 |
IXTP1R6N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB | تحقيق |
 |
SQ1470EH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70 | تحقيق |
 |
CSD25213W10 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog