يشترى 1N6108US مع BYCHPS
شراء مع ضمان
1N6108US
- رقم القطعة:
- 1N6108US
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- TVS DIODE 9.1VWM 17.75VC SQMELF
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12338 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1N6108US.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 1N6108US ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 1N6108US عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - عكس مأزق (الطباع): | 9.1V |
|---|---|
| الجهد - لقط (ماكس) @ إيب: | 17.75V |
| الجهد - انهيار (دقيقة): | 10.83V |
| اكتب: | Zener |
| تجار الأجهزة حزمة: | B, SQ-MELF |
| سلسلة: | - |
| حماية خط الطاقة: | No |
| السلطة - ذروة نبض: | 500W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SQ-MELF, B |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 17 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | 1N6108US |
| وصف: | TVS DIODE 9.1VWM 17.75VC SQMELF |
| الحالي - ذروة نبض (10 / 1000μs): | 28.12A |
| السعة @ التردد: | - |
| القنوات ثنائية الاتجاه: | 1 |
| التطبيقات: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل1N6108US
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
1N6108AUS | Microsemi Corporation | TVS DIODE 9.1VWM 16.9VC SQMELF | تحقيق |
|
1N6105US | Microsemi Corporation | TVS DIODE 6.9VWM 14.07VC SQMELF | تحقيق |
 |
1N6107A | Microsemi Corporation | TVS DIODE 8.4VWM BPKG AXIAL | تحقيق |
 |
1N6108A | Microsemi Corporation | TVS DIODE 9.1VWM BPKG AXIAL | تحقيق |
|
1N6101 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 16CDIP | تحقيق |
|
1N6109AUS | Microsemi Corporation | TVS DIODE 9.9VWM 18.2VC SQMELF | تحقيق |
|
1N6108 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 9.1VWM BPKG AXIAL | تحقيق |
|
1N6104A | Microsemi Corporation | TVS DIODE 6.2VWM BPKG AXIAL | تحقيق |
|
1N6103AUS | Microsemi Corporation | TVS DIODE 5.7VWM 11.2VC SQMELF | تحقيق |
|
1N6109 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 9.9VWM BPKG AXIAL | تحقيق |
|
1N6105A | Microsemi Corporation | TVS DIODE 6.9VWM BPKG AXIAL | تحقيق |
|
1N6109A | Microsemi Corporation | TVS DIODE 9.9VWM BPKG AXIAL | تحقيق |
|
1N6100 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 14CFLATPACK | تحقيق |
|
1N6106US | Microsemi Corporation | TVS DIODE 7.6VWM 15.23VC SQMELF | تحقيق |
|
1N6107US | Microsemi Corporation | TVS DIODE 8.4VWM 16.38VC SQMELF | تحقيق |
|
1N6103US | Microsemi Corporation | TVS DIODE 5.7VWM 11.76VC SQMELF | تحقيق |
|
1N6104US | Microsemi Corporation | TVS DIODE 6.2VWM 12.71VC SQMELF | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog